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隔离式栅极驱动芯片匹配 SiC 器件,能否满足新能源电驱系统可靠性需求?


产品类别:驱动芯片

核心场景:新能源汽车电机控制器、高倍率储能变流器(PCS

核心点:隔离式栅极驱动、适配宽禁带功率器件、高鲁棒性


Q:驱动芯片匹配SiC MOSFET宽禁带功率器件时,在高速开关场景下能否满足电驱系统的隔离与驱动可靠性要求?

A:可以精准满足要求。扎陵半导体隔离式栅极驱动芯片,在技术设计阶段就针对SiC MOSFET的高速开关特性做了专项优化:产品具备大功率驱动电流输出能力,可满足 SiC 器件对驱动电流的严苛需求;同时传承了公司隔离芯片的高抗扰基因,具备高隔离耐压、强浪涌防护性能,以及极高的共模抗扰度(CMTI),能够抑制SiC器件高速开关产生的高dv/dt干扰;此外,芯片内置多种保护功能,可实时监测功率器件的工作状态,发生故障时快速输出保护信号,完全适配新能源汽车电机控制器、储能PCS等高压大功率场景的长期运行要求。